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IXTK22N100L
IXTX22N100L
100
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 90oC
R DS(on) Limit
25μs
10
10
100μs
1ms
1ms
10ms
1
T J = 150oC
DC
1
T J = 150oC
DC
10ms
0
T C = 25oC
Single Pulse
0.1
T C = 90oC
Single Pulse
10
100
1,000
10,000
10
100
1,000
10,000
V DS - Volts
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_22N100L(8N)3-19-10
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IXTK33N50 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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